半导体真空腔体的应用
中国半导体真空腔体市场近几年快速发展,越来越多的公司也表达了进入芯片领域的兴趣.以存储芯片为例,以前中国国内存储芯片完全靠进口,今年福建晋华集成电路的内存生产线有望投产,另外长江存储科技公司也在建设内存和闪存芯片生产线.格力、康佳等传统家电企业也表示,将进入芯片领域.
据国际半导体设备与材料协会报告显示,中国目前正在天津、西安、北京、上海等16个地区打造25个FAB建设项目,福建晋华集成电路、长江存储科技公司等企业技术水平虽不及韩国,但均已投入芯片量产.报告预测,今年中国半导体设备市场规模有望达118亿美元,实现同比43.9%的增长,并且明年市场规模有望扩大至173亿美元,增长46.6%,成为大市场.而同一时期内韩国的半导体设备市场规模从179.6亿美元减少至163亿美元,减幅为9.2%.中国超越韩国成为全球很大半导体设备市场.
影响真空绝缘水平的主要因素
电极资料
真空开关作业在10-2Pa以上的高真空，因为此刻气体分子十分稀疏，气体分子的碰撞游离对击穿已经不起效果，因而击穿电压表现出和电极资料有较强的相关性。
真空空隙的击穿电压跟着电极资料的不同而不同，研究者发现击穿电压和资料的硬度与机械强度有关。一般来说，硬度和机械强度较高的资料，往往有较高的绝缘强度。比如，钢电极在淬火后硬度进步，其击穿电压较淬火前可进步80%。
此外，击穿电压还和阴极资料的物理常数如熔点、比热和密度等正相关，即熔点较高的资料其击穿电压也较高。比照热和密度而言亦然。这一问题的实质是在相同热能的效果下，资料发作熔化的概率越大，则击穿电压越低。
真空腔体——实漏和虚漏
并非所有的抽气时间延长、极限压力下降都是因为泄漏，在使用检漏仪检漏前，有必要了解一下如何判断真空设备是否真的发生了泄漏。
真空腔室的内壁或腔室内壁附着的污染物，在真空下持续的释放出气体，这种现象被称为放气。当真空腔室内部存在死空间，并且该死空间通过一个狭长的通道与腔室内部连通时，死空间内的气体在真空下也会缓慢的释放出来，形成类似于放气或泄漏的现象，通常把这种现象叫做虚漏。真实的泄漏可以通过检漏找到，放气也可以通过清洗真空腔体内表面而解决，而虚漏一旦产生，很难被发现，需要在设计和制造时尽量避免容易产生虚漏的结构或工艺，如上图中的螺纹连接（一定要用的话可以使用空心螺栓），很长的狭缝或毛细管，两侧满焊的腔体焊接（较厚的壳体建议真空侧满焊大气侧断续焊）等等。
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